디스크 배리스터 전자 ESD 보호

특징 및 기술적 특성
작은 크기, 큰 흐름 용량 및 큰 에너지 허용 오차
에폭시 절연 캡슐화
응답 시간: <25ns
작동 온도 범위: -40℃~+85℃
절연 저항: ≥500MΩ
배리스터 전압 온도 계수: -0.5%/℃
칩 직경: 5, 7, 10, 14, 20, 25, 32, 40mm
배리스터 전압의 허용 편차: K±10%

신청

트랜지스터, 다이오드, IC, 사이리스터 및 반도체 스위칭 소자 및 다양한 전자 장비의 과전압 보호
가전 ​​제품, 산업용 가전 제품, 릴레이 및 전자 밸브의 서지 흡수
정전기 방전 및 노이즈 신호 제거
누설 보호, 스위치 과전압 보호
전화, 프로그램 제어 스위치 및 기타 통신 장비 및 과전압 보호

생산 과정

인증

자주하는 질문
배리스터의 기본 특성은 무엇입니까?

(1) 보호 특성, 충격 소스의 충격 강도(또는 충격 전류 Isp=Usp/Zs)가 지정된 값을 초과하지 않을 때 배리스터의 제한 전압은 충격 내전압(Urp)을 초과할 수 없습니다. 보호 대상이 견딜 수 있습니다.

(2) 충격 저항 특성, 즉 바리스터 자체가 규정된 충격 전류, 충격 에너지 및 다중 충격이 차례로 발생할 때 평균 전력을 견딜 수 있어야 합니다.

(3) 두 가지 수명 특성이 있습니다. 하나는 연속 작동 전압 수명입니다. 즉, 배리스터는 지정된 주변 온도 및 시스템 전압 조건에서 지정된 시간(시간) 동안 안정적으로 작동할 수 있어야 합니다.두 번째는 충격 수명, 즉 지정된 충격을 안정적으로 견딜 수 있는 횟수입니다.

(4) 배리스터가 시스템에 포함된 후 "안전 밸브"의 보호 기능 외에도 몇 가지 추가 효과를 가져옵니다. 이는 소위 "2차 효과"로 정상을 감소시키지 않아야 합니다. 시스템의 작동 성능.